24,47 por cento, comparável ao tipo p HJT do tipo n

O CEA INES, um instituto de pesquisa francês, desenvolveu wafers do tipo p para a produção de células de heterojunção e introduziu dopagem de gálio na produção de células do tipo p, resultando em células de heterojunção com desempenho comparável ao tipo n, com uma ótima eficiência de conversão de 24,47%, descobriu a Global PV.

As células fotovoltaicas HJT podem ser feitas de wafers de silício tipo n ou tipo p. Para expansão em larga escala de HJT, wafers do tipo p mais baratos podem ser preferidos, no entanto, as células do tipo p são menos eficientes que as do tipo n e exibem instabilidade em casos específicos de dopagem com boro. o trabalho da CEA INES mostrou que o processo de produção de células bifaciais tipo n pós-junção de alto desempenho pode ser aplicado a células tipo p de junção frontal sem alterar o processo, com perdas de eficiência tão baixas quanto 0.3 por cento .

Os fabricantes fotovoltaicos estão começando a substituir a dopagem de boro por gálio por volta de 2019 como uma solução para a degradação fotoinduzida causada pela reação entre boro e oxigênio. em agosto de 2022, a pesquisa no Fraunhofer ISE na Alemanha mostrou que, com dopagem de gálio, os wafers do tipo p podem atingir eficiências celulares semelhantes ou até maiores do que os wafers do tipo n.

A Fraunhofer ISE produziu um lingote de silício com maior resistividade devido à dopagem de gálio

"Por esta razão, propomos usar as células HJT do tipo p com dopagem de gálio que obtivemos em uma linha de teste semi-industrial, que são essencialmente estáveis ​​sob luz suave e têm uma eficiência próxima à do tipo n". disse CEA INES.

Em setembro deste ano, a Longi alcançou uma eficiência de conversão de 26,12 por cento para células de heterojunção de silício em uma bolacha de silício monocristalina do tipo p dopada com gálio (M6, 274,3 cm2), que é o recorde de maior eficiência para células de silício tipo p até o momento, e o equipamento HJT existente da Jagatron também pode ser usado para a tecnologia de célula de heterojunção de silício (p-HJT) feita de pastilhas de silício do tipo p dopadas com gálio.